化學(xué)選修三第一章知識(shí)點(diǎn)小結(jié)

選修三第一章知識(shí)點(diǎn)小結(jié)

一、核外電子排布：

1、能層：原子核外電子按______大小______排布，從內(nèi)到外分為____、____、____、____、____、____、

____七層，能量依次_____。各能層所能容納的電子個(gè)數(shù)為______。

2、能級(jí)：各能層電子的能量_______相同，不同能量的電子分別排布在____、____、____、____能級(jí)上，各

能層的能級(jí)個(gè)數(shù)與__________相等，各能級(jí)上所能容納的電子數(shù)分別為_____、____、____、____。3、電子云：電子云表示的是原子核外電子的出現(xiàn)在核外某空間的___________，將其中_____的區(qū)域圈出來(lái)

所繪制的圖形為______________。

s能級(jí)的電子云輪廓圖為_____形，_____方向性，因此各個(gè)能層的s能級(jí)均有____條軌道，最多能容納_____個(gè)電子；

p能級(jí)的電子云輪廓圖為_____形，_____方向性，有___個(gè)空間取向，因此各個(gè)能層的p能級(jí)均有____條軌道，最多能容納_____個(gè)電子；

d能級(jí)的電子云輪廓圖為_____形，_____方向性，有____個(gè)空間取向，因此各個(gè)能層的d能級(jí)均有____條軌道，最多能容納_____個(gè)電子；

f能級(jí)的電子云輪廓圖有____個(gè)空間取向，因此各個(gè)能級(jí)的f能級(jí)均有____條軌道。同一能層的同一能級(jí)中，幾個(gè)軌道之間能量_______。

4、能級(jí)組：各一個(gè)能級(jí)組從____開始，按照________________________順序排列，以____結(jié)束。二、核外電子排布的規(guī)律：

1、構(gòu)造原理：原子核外的電子排布遵循能量最低原理，電子的排布先后順序?yàn)椋?/p>

1s_______________________________________________________________。2、泡利不相容原理和洪特規(guī)則：

（1）____________：在一個(gè)原子軌道里，最多容納_____個(gè)電子，且自旋______。表示為：（2）____________：基態(tài)原子中的電子優(yōu)先_______占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋_______。如np3應(yīng)表示為：

3、原子光譜：

（1）基態(tài)：處于____________的原子叫做基態(tài)原子，基態(tài)原子的排布符合______________。（2）激發(fā)態(tài)：基態(tài)原子的電子______能量躍遷到高能層或者高能級(jí)，成為激發(fā)態(tài)原子。（3）基態(tài)原子的電子躍遷到高能層或者高能級(jí)時(shí)，_____能量，得到______光譜；當(dāng)電子躍遷回

基態(tài)時(shí)_____能量，得到______光譜。

【練習(xí)】

下列基態(tài)原子核外各電子排布中，違反了哪些原子或規(guī)則？正確的排布如何？

A.硼：1s22s3B.氮：1s22s22px22py1C.鈹：1s22p2D.銅：【Ar】3d94s2

3、幾個(gè)重要的電子排布式以及電子排布圖：元素CO－FPCa＋Al3VCr電子排布式簡(jiǎn)化電子排布式外圍電子排布式外圍電子排布圖原子結(jié)構(gòu)示意圖＋CuAgGe＋Fe＋Ni2Pb

三、核外電子排布與周期、族的關(guān)系：1、與周期的關(guān)系：

（1）周期數(shù)＝________________。外圍電子排布為3d104s2的原子位于周期表的_______周期。（2）每周期元素核外電子排布，以_______開始，_______結(jié)束，每周期的元素個(gè)數(shù)＝______________，

依次為_____、_____、______、______、______、______、______；每周期結(jié)束的稀有元素的原子序數(shù)分別為______、______、______、______、______、______、______。

2、與族的關(guān)系：

（1）主族、0族元素外圍電子排布：________________，外圍電子總數(shù)＝_____________（2）過(guò)渡元素外圍電子排布：_________________

其中，ⅢB~ⅦB族：外圍電子總數(shù)＝_____________

Ⅷ族、ⅠB、ⅡB族：外圍電子總數(shù)＝_____________。

3、元素周期表的分區(qū)：

除_____區(qū)外，元素最后一個(gè)電子填入哪個(gè)能級(jí)，元素便位于周期表的哪個(gè)區(qū)，按此原則共分為____個(gè)區(qū)請(qǐng)將各自區(qū)的對(duì)應(yīng)的族的位置填入下列空格內(nèi)：s區(qū)：____________________________p區(qū)：____________________________

d區(qū)：____________________________f區(qū)：____________________________ds區(qū)：____________________________

以上5個(gè)區(qū)中，全部為金屬元素的區(qū)是_________________________________

【練習(xí)】

1、不查表，請(qǐng)寫出下列元素的價(jià)電子排布式，原子序數(shù)，以及位于周期表哪個(gè)區(qū)。

第三周期ⅦA族：____________________________________________________第四周期ⅢB族：____________________________________________________第五周期ⅠB族：____________________________________________________2、不查表，迅速寫出下列元素的價(jià)電子排布式，以及在周期表中的位置。

24號(hào)元素：__________________________________________________28號(hào)元素：__________________________________________________47號(hào)元素：__________________________________________________35號(hào)元素：__________________________________________________四、元素周期律1、原子半徑：

原子半徑的大小取決于兩個(gè)因素：_________________________和____________________________。同周期原子半徑從左到右依次_____________；同主族原子半徑從上到下依次____________。2、電離能：

_______________原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為___________正離子所需要的________能量叫做___________。電離能的變化規(guī)律：

（1）（2）（3）（4）

3、電負(fù)性：

電負(fù)性是用來(lái)描述不同元素對(duì)___________的_____力的大小，電負(fù)性越大，______力越______。電負(fù)性的變化規(guī)律：

（1）同一周期的電離能從左到右________________；（2）同一主族的電離能從上到下________________；

（3）電負(fù)性的大小可以用作判斷a._________________________________________________b._________________________________________________c._________________________________________________

4、對(duì)角線規(guī)則：

周期表中第二和第三周期處于______和______位置的三組元素（_____和_____、_____和_____、_____和_____、），由于__________相似，單質(zhì)以及化合物的性質(zhì)是相似的，請(qǐng)寫出下列物質(zhì)反應(yīng)的方程式：（1）Li和Mg：

a.與水反應(yīng)：________________________________、__________________________________b.在空氣中點(diǎn)燃：_______________________________、_______________________________c.碳酸鹽分解：________________________________、________________________________（2）Be和Al：

a.與酸反應(yīng)：________________________________、__________________________________b.與堿反應(yīng)：_______________________________、_______________________________

c.氫氧化物與酸：________________________________、________________________________d.氫氧化物與堿：________________________________、________________________________e．AlCl3和BeCl2都是___________化合物（3）B和Si：

a.B和Si都是常見的___________；

b.與NaOH反應(yīng)：_______________________________、_______________________________c.二者的最高價(jià)氧化物的水化物_______和_________都是_____酸。

同一周期的電離能從左到右________________，在________________________出現(xiàn)反常；同一主族的電離能從上到下________________；同一原子的逐級(jí)電離能依次___________；

同一原子的電離能出現(xiàn)劇烈變化時(shí)說(shuō)明出現(xiàn)_____________。

擴(kuò)展閱讀：【人教版】高中化學(xué)選修3知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

第一章原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

一.原子結(jié)構(gòu)

1.能級(jí)與能層

2.原子軌道

3.原子核外電子排布規(guī)律

⑴構(gòu)造原理：隨著核電荷數(shù)遞增，大多數(shù)元素的電中性基態(tài)原子的電子按右圖順序填入核外電子運(yùn)動(dòng)軌道（能級(jí)），叫做構(gòu)造原理。

能級(jí)交錯(cuò)：由構(gòu)造原理可知，電子先進(jìn)入4s軌道，后進(jìn)入3d軌道，這種現(xiàn)象叫能級(jí)交錯(cuò)。

說(shuō)明：構(gòu)造原理并不是說(shuō)4s能級(jí)比3d能級(jí)能量低（實(shí)際上4s能級(jí)比3d能級(jí)能量高），而是指這樣順序填充電子可以使整個(gè)原子的能量最低。也就是說(shuō)，整個(gè)原子的能量不能機(jī)械地看做是各電子所處軌道的能量之和。

（2）能量最低原理

現(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實(shí)，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，簡(jiǎn)稱能量最低原理。

構(gòu)造原理和能量最低原理是從整體角度考慮原子的能量高低，而不局限于某個(gè)能級(jí)。

（3）泡利（不相容）原理：基態(tài)多電子原子中，不可能同時(shí)存在4個(gè)量子數(shù)完全相同的電子。換言之，一個(gè)軌道里最多只能容納兩個(gè)電子，且電旋方向相反（用“↑↓”表示），這個(gè)原理稱為泡利（Pauli）原理。

（4）洪特規(guī)則：當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道（能量相同）時(shí)，總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋方向相同，這個(gè)規(guī)則叫洪特（Hund）規(guī)則。比如，p3的軌道式為↑

↑↑

或

↓↓↓

，而↑↓↑

。

洪特規(guī)則特例：當(dāng)p、d、f軌道填充的電子數(shù)為全空、半充滿或全充滿時(shí)，原子處于較穩(wěn)定的狀態(tài)。即p0、d0、f0、p3、d5、f7、p6、d10、f14時(shí)，是較穩(wěn)定狀態(tài)。

前36號(hào)元素中，全空狀態(tài)的有4Be2s22p0、12Mg3s23p0、20Ca4s23d0；半充滿狀態(tài)的有：7N2s22p3、15P3s23p3、24Cr3d54s1、25Mn3d54s2、33As4s24p3；全充滿狀態(tài)的有10Ne2s22p6、18Ar3s23p6、29Cu3d104s1、30Zn3d104s2、36Kr4s24p6。

4.基態(tài)原子核外電子排布的表示方法(1)電子排布式

①用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)的右上角表明該能級(jí)上排布的電子數(shù)，這就是電子排布式，例如K：1s22s22p63s23p64s1。

②為了避免電子排布式書寫過(guò)于繁瑣，把內(nèi)層電子達(dá)到稀有氣體元素原子結(jié)構(gòu)的部分以相應(yīng)稀有氣體的元素符號(hào)外加方括號(hào)表示，例如K：[Ar]4s1。

(2)電子排布圖(軌道表示式)

每個(gè)方框或圓圈代表一個(gè)原子軌道，每個(gè)箭頭代表一個(gè)電子。如基態(tài)硫原子的軌道表示式為

二.原子結(jié)構(gòu)與元素周期表1.原子的電子構(gòu)型與周期的關(guān)系

(1)每周期第一種元素的最外層電子的排布式為ns1。每周期結(jié)尾元素的最外層電子排布式除He為1s2外，其余為ns2np6。He核外只有2個(gè)電子，只有1個(gè)s軌道，還未出現(xiàn)p軌道，所以第一周期結(jié)尾元素的電子排布跟其他周期不同。

(2)一個(gè)能級(jí)組最多所容納的電子數(shù)等于一個(gè)周期所包含的元素種類。但一個(gè)能級(jí)組不一定全部是能量相同的能級(jí)，而是能量相近的能級(jí)。

2.元素周期表的分區(qū)(1)根據(jù)核外電子排布

①分區(qū)

②各區(qū)元素化學(xué)性質(zhì)及原子最外層電子排布特點(diǎn)

③若已知元素的外圍電子排布，可直接判斷該元素在周期表中的位置。如：某元素的外圍電子排布為4s24p4，由此可知，該元素位于p區(qū)，為第四周期ⅥA族元素。即最大能層為其周期數(shù)，最外層電子數(shù)為其族序數(shù)，但應(yīng)注意過(guò)渡元素(副族與第Ⅷ族)的最大能層為其周期數(shù)，外圍電子數(shù)應(yīng)為其縱列數(shù)而不是其族序數(shù)(鑭系、錒系除外)。

三.元素周期律1.電離能、電負(fù)性

（1）電離能是指氣態(tài)原子或離子失去1個(gè)電子時(shí)所需要的最低能量，第一電離能是指電中性基態(tài)原子失去1個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量。第一電離能數(shù)值越小，原子越容易失去1個(gè)電子。在同一周期的元素中，堿金屬(或第ⅠA族)第一電離能最小，稀有氣體(或0族)第一電離能最大，從左到右總體呈現(xiàn)增大趨勢(shì)。同主族元素，從上到下，第一電離能逐漸減小。同一原子的第二電離能比第一電離能要大

（2）元素的電負(fù)性用來(lái)描述不同元素的原子對(duì)鍵合電子吸引力的大小。以氟的電負(fù)性為4.0，鋰的電負(fù)性為1.0作為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn),得出了各元素的電負(fù)性。電負(fù)性的大小也可以作為判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱的尺度，金屬的電負(fù)性一般小于1.8，非金屬的電負(fù)性一般大于1.8，而位于非金屬三角區(qū)邊界的“類金屬”的電負(fù)性在1.8左右。它們既有金屬性，又有非金屬性。

（3）電負(fù)性的應(yīng)用

①判斷元素的金屬性和非金屬性及其強(qiáng)弱

②金屬的電負(fù)性一般小于1.8，非金屬的電負(fù)性一般大于1.8，而位于非金屬三角區(qū)邊界的“類金屬”(如鍺、銻等)的電負(fù)性則在1.8左右，它們既有金屬性，又有非金屬性。

③金屬元素的電負(fù)性越小，金屬元素越活潑；非金屬元素的電負(fù)性越大，非金屬元素越活潑。④同周期自左到右，電負(fù)性逐漸增大，同主族自上而下，電負(fù)性逐漸減小。2.原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)的遞變規(guī)律

3.對(duì)角線規(guī)則

在元素周期表中，某些主族元素與右下方的主族元素的有些性質(zhì)是相似的，如

第二章分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

課標(biāo)要求

1.了解共價(jià)鍵的主要類型鍵和鍵，能用鍵長(zhǎng)、鍵能和鍵角等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì)

2.了解雜化軌道理論及常見的雜化軌道類型（sp、sp2、sp3），能用價(jià)層電子對(duì)互斥理論或者雜化軌道理論推測(cè)常見的簡(jiǎn)單分子或離子的空間結(jié)構(gòu)。3.了解簡(jiǎn)單配合物的成鍵情況。4.了解化學(xué)鍵合分子間作用力的區(qū)別。

5.了解氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響，能列舉含氫鍵的物質(zhì)。要點(diǎn)精講一.共價(jià)鍵

1.共價(jià)鍵的本質(zhì)及特征

共價(jià)鍵的本質(zhì)是在原子之間形成共用電子對(duì)，其特征是具有飽和性和方向性。2.共價(jià)鍵的類型

①按成鍵原子間共用電子對(duì)的數(shù)目分為單鍵、雙鍵、三鍵。②按共用電子對(duì)是否偏移分為極性鍵、非極性鍵。

③按原子軌道的重疊方式分為σ鍵和π鍵，前者的電子云具有軸對(duì)稱性，后者的電子云具有鏡像對(duì)稱性。3.鍵參數(shù)

①鍵能：氣態(tài)基態(tài)原子形成1mol化學(xué)鍵釋放的最低能量，鍵能越大，化學(xué)鍵越穩(wěn)定。②鍵長(zhǎng)：形成共價(jià)鍵的兩個(gè)原子之間的核間距，鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越穩(wěn)定。③鍵角：在原子數(shù)超過(guò)2的分子中，兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角。④鍵參數(shù)對(duì)分子性質(zhì)的影響

鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，分子越穩(wěn)定．

4.等電子原理[來(lái)源:學(xué) 科 網(wǎng)]

原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征，它們的許多性質(zhì)相近。二.分子的立體構(gòu)型

1．分子構(gòu)型與雜化軌道理論雜化軌道的要點(diǎn)

當(dāng)原子成鍵時(shí)，原子的價(jià)電子軌道相互混雜，形成與原軌道數(shù)相等且能量相同的雜化軌道。雜化軌道數(shù)不同，軌道間的夾角不同，形成分子的空間形狀不同。

2分子構(gòu)型與價(jià)層電子對(duì)互斥模型

價(jià)層電子對(duì)互斥模型說(shuō)明的是價(jià)層電子對(duì)的空間構(gòu)型，而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對(duì)空間構(gòu)型，不包括孤對(duì)電子。

(1)當(dāng)中心原子無(wú)孤對(duì)電子時(shí)，兩者的構(gòu)型一致；(2)當(dāng)中心原子有孤對(duì)電子時(shí)，兩者的構(gòu)型不一致。

3.配位化合物

（1）配位鍵與極性鍵、非極性鍵的比較

（2）配位化合物

①定義：金屬離子(或原子)與某些分子或離子(稱為配體)以配位鍵結(jié)合形成的化合物。②組成：如[Ag(NH3)2]OH，中心離子為Ag＋，配體為NH3，配位數(shù)為2。三.分子的性質(zhì)1.分子間作用力的比較2．分子的極性

(1)極性分子：正電中心和負(fù)電中心不重合的分子。(2)非極性分子：正電中心和負(fù)電中心重合的分子。3．溶解性

(1)“相似相溶”規(guī)律：非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑，

極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑．若存在氫鍵，則溶劑和溶質(zhì)之間的氫鍵作用力越大，溶解性越好。(2)“相似相溶”還適用于分子結(jié)構(gòu)的相似性，如乙醇和水互溶，而戊醇在水中的溶解度明顯減小．4．手性

具有完全相同的組成和原子排列的一對(duì)分子，如左手和右手一樣互為鏡像，在三維空間里不能重疊的現(xiàn)象。5．無(wú)機(jī)含氧酸分子的酸性

無(wú)機(jī)含氧酸可寫成(HO)mROn，如果成酸元素R相同，則n值越大，R的正電性越高，使ROH中O的電子向R偏移，在水分子的作用下越易電離出H＋，酸性越強(qiáng)，如HClO＜HClO2＜HClO3＜HClO4

第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

一.晶體常識(shí)1.晶體與非晶體比較

2.獲得晶體的三條途徑

①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固（凝華）。③溶質(zhì)從溶液中析出。3.晶胞

晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。晶胞在晶體中的排列呈“無(wú)隙并置”。4.晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算方法均攤法

如某個(gè)粒子為n個(gè)晶胞所共有，則該粒子有1/n屬于這個(gè)晶胞。中學(xué)中常見的晶胞為立方晶胞

立方晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算方法如下：

注意：在使用“均攤法”計(jì)算晶胞中粒子個(gè)數(shù)時(shí)要注意晶胞的形狀

二.四種晶體的比較

2．晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較方法

（1）不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體。

金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。（2）原子晶體

由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高．如熔點(diǎn)：金剛石＞碳化硅＞硅

（3）離子晶體

一般地說(shuō)，陰陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用力就越強(qiáng)，相應(yīng)的晶格能大，其晶體的熔、沸點(diǎn)就越高。

（4）分子晶體

①分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高。②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高。

③組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對(duì)分子質(zhì)量接近），分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高。④同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。（5）金屬晶體

金屬離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬熔、沸點(diǎn)就越高。三.幾種典型的晶體模型

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